BYM07-50HE3/83
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | BYM07-50HE3/83 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 500 mA |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 50 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-213AA (GL34) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | SUPERECTIFIER® |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 50 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-213AA (Glass) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 50 V |
Strom - Richt (Io) | 500mA |
Kapazität @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | BYM07 |
BYM07-50HE3/83 Einzelheiten PDF [English] | BYM07-50HE3/83 PDF - EN.pdf |
DIODE GP 400V 500MA DO213AA
VISHAY LL41
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA
DIODE GP 400V 500MA DO213AA
DIODE GP 400V 500MA DO213AA
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA
BYM10-100 GS
DIODE GP 400V 500MA DO213AA
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA
BYM07-E3/82 VISHAY
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
2024/01/23
2024/09/9
2024/01/25
2024/09/11
BYM07-50HE3/83Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|